Les fondeurs les plus avancés permettent dès à présent de graver des puces en 3 nm mais la course à la finesse de gravure va s’intensifier avec le passage à la gravure en 2 nm.
C’est vers ce noeud qu’Intel compte revenir à la charge et même dépasser les acteurs dominants TSMC et Samsung avec ses techniques de gravure Intel 20A (équivalent 2 nm) et rapidement derrière Intel 18A (équivalent 1,8 nm).
Première lumière sur l’équipement EUV High NA
Pour réussir cette bascule, après plusieurs années en retrait, et attirer des clients, Intel aura besoin des équipements de lithographie les plus avancés du moment. L’entreprise néerlandaise ASML est en pointe dans le domaine et prépare des équipements de lithographie EUV High NA 0.55 (NA pour Numeric Aperture) qui pourront assurer la finesse de gravure de ces prochaines années.
Rare et chers, ces équipements sont produits en petites quantités et Intel s’est débrouillée pour être parmi les premières entreprises à s’en équiper, ce qui devrait lui donner ce fameux temps d’avance sur la concurrence.
Le groupe de Santa Clara et ASML ont annoncé avoir « allumé » avec succès le premier équipement Twinscan EXE:5000, à savoir activé la source lumineuse EUV et vérifié que les nombreux miroirs qui la composent sont correctement alignés pour réaliser l’impression sur wafer.
Le premier équipement en assemblage chez Intel
C’est une première étape importante mais il reste encore du travail de calibration à réaliser avant de pouvoir commencer à réaliser les impressions de test sur wafer. La première machine montée est installée chez ASML aux Pays-Bas et servira à valider la calibration, tandis que le second équipement est en cours d’assemblage sur le site de Hilsboro d’Intel, dans l’Oregon.
A 350 millions de dollars l’unité, seuls les grands fondeurs pourront s’en offrir quelques exemplaires mais ils seront indispensables pour faire passer la gravure à 2 nm puis à 1 nm avant la fin de la décennie.
Intel veut exploiter ses procédés Intel 20A et Intel 18A dès 2024 et 2025 et prépare déjà une technique Intel 14A pour 2026. Et déjà se profile une technique Intel 10A (équivalent 1 nm) pour fin 2027 ou 2028.