Les groupes Qualcomm et Samsung ont des liens étroits pour la production de puces mobiles mais, ces dernières années, l’entreprise fabless de Qualcomm a plutôt eu tendance à se tourner vers TSMC pour ses capacités de production et ses meilleurs rendements.
Le passage à la gravure en 3 nm n’a pas été de tout repos pour Samsung et les débuts ont été compliqués par des rendements faibles en partie liés à la nouveauté des transistors GAA (et dans le cas de Samsung, MBCFET), ce qui conduit certains acteurs à se tourner vers TSMC, resté avec les transistors FinFET utilisés depuis plusieurs noeuds de gravure.
Qualcomm devrait donc de nouveau utiliser les techniques de gravure de TSMC pour la production de son prochain processeur premium Snapdragon 8 Gen 4, pour la première fois gravé en 3 nm, après avoir exploité sa gravure en 4 nm pour l’actuel Soc Snapdragon 8 Gen 3 présent dans les smartphones Android premium du moment.
Le noeud 2 nm promet du changement
Mais, comme on a pu le voir dans de précédents articles, la domination de TSMC dans le secteur de la fonderie pourrait être remise en cause au noeud 2 nm. D’une part, le groupe Intel est en train de revenir dans la course à la finesse de gravure avec ses procédés Intel 20A et Intel 18A (équivalent 2 nm et 1,8 nm), d’autre part, le groupe Samsung a désormais adapté ses outils de production aux nouvelles technologies de transistors GAA et va pouvoir se rapprocher en qualité de ce que propose TSMC.
De son côté, TSMC va basculer des transistors FinFET aux GAA avec le passage au noeud 2 nm, avec tous les réglages à faire sur les lignes de production. Un autre point à considérer est qu’Intel est le premier à récupérer des équipements de lithographie EUV High-NA optimisés pour la gravure très fine, suivi de Samsung tandis que TSMC ne les aura que plus tard.
Enfin, TSMC restera très lié à Apple pour le lancement de sa technique de gravure en 2 nm, ce qui suggère que les premiers volumes de production lui seront presque intégralement consacrés, comme ce fut le cas pour le 3 nm, ce qui pourrait conduire certains clients à basculer vers des alternatives pour ne pas subir encore un décalage d’un an.
Deux versions du Snapdragon 8 Gen 5, avec deux gravures distinctes
Il pourrait donc y avoir des changements significatifs dans les partenariats noués à l’occasion de la transition vers le 2 nm. Des rumeurs suggèrent ainsi que Qualcomm, parti chez TSMC pour la gravure en 3 nm, va revenir chez Samsung avec le noeud inférieur, au moins pour une partie de la production.
Cela pourrait concerner le processeur Snapdragon 8 Gen 5 de 2025, indique le leaker Revegnus sur le réseau X, et avec une astuce : la version standard du SoC Snapdragon 8 Gen 5 sera gravée en 3 nm chez TSMC avec un processus optimisé N3P tandis que la version dédiée aux smartphones Galaxy S, ou Snapdragon 8 Gen 5 for Galaxy, utilisera la gravure en 2 nm de Samsung Foundry.
Qualcomm pourrait ainsi jouer sur les deux tableaux de la forte capacité de production de TSMC pour la majorité de ses nombreux clients, mais au noeud supérieur, et de la nouveauté et des performances du noeud 2 nm dès 2025 en passant par Samsung, ne laissant plus Apple seule pour profiter des dernières technologies de gravure pendant de longs trimestres.
La puce Snapdragon 8 Gen 5 pourrait donc avoir deux versions plus différenciées avec un avantage pour la version For Galaxy qui ne sera plus seulement une seule cadence relevée. Ce serait aussi une première pour Qualcomm qui a jusqu’à présent joué sur les paramètres de ses processeurs plutôt que de proposer des gravures différentes.
Tout ceci demande bien sûr à être confirmé mais la rumeur va dans le sens d’autres informations sur le point d’inflexion du marché des semi-conducteur avec l’arrivée de la gravure en 2 nm.