Samsung Electronics a investi dans des équipements pour entrer sur le marché des fonderies de nitrure de gallium (GaN). Toutefois, la quantité d’équipements acquis est très limitée, ce qui suggère que l’entreprise souhaite commencer en douceur avec cette production initiale. Des investissements plus importants pour une production de masse seront certainement envisagés en fonction de l’acquisition de clients et de la croissance du marché.
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Une révolution pour le marché dès 2025 ?
Le GaN est un matériau semi-conducteur de nouvelle génération qui offre une meilleure durabilité sous haute température et haute pression, ainsi qu’un rendement énergétique supérieur par rapport au silicium. Grâce à ces avantages, sa demande augmente dans des secteurs tels que l’informatique, les communications et l’automobile.
Lors du « Samsung Foundry Forum 2023 », l’entreprise a officiellement annoncé vouloir se positionner sur cette technologie : « Nous lancerons des semi-conducteurs GaN de 8 pouces en 2025 pour les consommateurs, les centres de données et l’automobile. » Et maintenant, les choses se concrétisent :
Samsung Electronics a introduit des équipements de l’entreprise allemande Aixtron dans son usine de Giheung au cours du deuxième trimestre. Il est question de la technologie MOCVD, une technique qui utilise des précurseurs organométalliques. Actuellement, le marché des équipements MOCVD pour les wafers de GaN est essentiellement monopolisé par deux entreprises : Aixtron et l’américain Veeco et Aixtron dominent particulièrement ce marché.
L’année dernière, Samsung Electronics a notamment rencontré Felix Grawert, le PDG d’Aixtron, pour discuter de l’approvisionnement, avec un investissement initial envisagé de l’ordre de 30 à 40 unités. Cependant, il semble que l’investissement actuel se limite à l’acquisition d’un ou deux des derniers équipements MOCVD, le temps de sécuriser des clients.