Le fondeur taiwanais TSMC est désormais prêt à lancer la production de masse pour sa technique de gravure en 3 nm et peut compter sur de très gros clients pour générer du volume et recouper ses investissements.
Une fois n’est pas coutume, la firme va démarrer ce nouveau cycle après son concurrent Samsung qui s’est déclaré dès le mois de juin avec une technique avancée exploitant le GAAFET quand elle-même restera dans un premier temps sur le FinFET, plus ancien et utilisé sur les noeuds 7 et 5 nm.
Les premières puces produites selon le procédé N3 commenceront donc à être fabriquées à partir du mois de septembre et devraient faire leur apparition dans des produits commerciaux d’ici le début de l’année prochaine.
Chacun ses atouts dans la gravure en 3 nm
Ce lancement décalé par rapport au calendrier habituel (lancement de la production de masse vers le mois de mai) explique pourquoi Apple, souvent en première ligne sur la finesse de gravure, restera sur de la gravure en 5 nm cette année pour sa puce Apple A16 Bionic à bord des iPhone 14 Pro et maintiendra les Apple A15 sur les iPhone 14 standard.
La gravure en 3 nm apportera son lot de gains en performance (autour de 10% par rapport à la gravure en 5 nm) et de réduction de la consommation d’énergie (-25% environ) pour des puces toujours plus compactes et puissantes.
TSMC devrait ensuite assez rapidement basculer vers l’optimisation N3E qui améliorera légèrement les qualités mais offrira surtout de meilleurs rendements. Le fondeur mise également sur sa technologie FinFlex qui permettra aux concepteurs de puces d’optimiser finement les caractéristiques de leurs créations en fonction des besoins de puissance ou de réduction de consommation d’énergie.