Micron lance son grand projet à 100 milliards de dollars pour rester un roi de la mémoire

100 milliards : Micron lance le plus grand projet américain de semi-conducteurs pour rester un king de la mémoire


Etalés sur 20 ans, la construction et les différentes évolutions du futur complexe de Micron va coûter un total de 100 milliards de dollars. Etabli dans l’état de New York, ce super site s’ajoute à celui de Boise dans l’Idaho qui va coûter, lui, un total de 15 milliards.

Si vous aimez les gros chiffres, l’actualité des semi-conducteurs doit vous faire exploser les mirettes : entre les plans de fabricants de puces que sont TSMC, Samsung et Intel, il y a le projet pharaonique de Micron. Le champion américain de la production de mémoire, grand rival des Coréens Samsung et SK Hynix, a enfilé les gants pour rester dans la course internationale. Micron vient en effet d’annoncer un plan industriel pour la construction du plus grand site de production de l’histoire des États-Unis, un giga-complexe qui va coûter la bagatelle de 100 milliards de dollars. Point de gros chèque sorti à un instant T, cette somme entend la construction, le maintien, les évolutions et les agrandissements d’un site pendant 20 ans. Soit une moyenne de 5 milliards d’investissements annuels pour un site qui aura atteint sa taille (et son coût maximal) aux alentours de 2040.

Micron a choisi un site à côté de Clay, dans l’état de New York aux Etats-Unis. Une localisation qui lui permet de profiter des aides du CHIP Act qui ont fini par être débloquées, et dont ont déjà profité Intel et d’autres pour initier des projets de production locale de semi-conducteurs. Le but de Micron est ainsi de produire 40% de sa DRAM (la mémoire vive RAM de vos PC, smartphones, etc.) sur le territoire américain. Une donne d’importance, puisque aujourd’hui l’essentiel de la mémoire vive est produit en Asie.

Micron n’est pas un jeune perdreau en matière d’investissements, il avait déjà annoncé avoir lancé la construction d’une autre usine de « seulement » 15 milliards à Boise, dans l’Idaho. Cette usine de pointe de production de RAM utilisera la technologie EUV et sera opérationnelle en 2025.  Le site de Clay sera, lui aussi, basé sur des procédés EUV de pointe (High NA) et la construction de l’usine devrait commencer en 2024 (avec des travaux préparatoires durant l’année 2023). Micron n’a pas donné de date officielle de mise en route des premiers éléments de sa fab de Clay, mais on peut raisonnablement tabler au minimum sur 2026, les usines de semi-conducteurs étant des structures extrêmement complexes.

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Les investissements de Micron font écho à ceux de son compatriote Intel, chacun investissant des dizaines de milliards de dollars pour développer une production américaine de composants électronique. Rendant presque « milliard pour milliard » aux projets des asiatiques Samsung et TSMC. Alors que les Etats-Unis sont devenus très minoritaires dans la production de puces, le « renouveau » américain a ceci d’important qu’il diversifie les sources d’approvisionnement d’une chaîne de production désormais concentrée en Asie.

Si quelques projets d’usines apparaissent en Europe, ils sont quasiment en tout ou partie financés par les Américains – l’usine d’Intel à Magdebourg, en Allemagne, l’usine STMicro/GlobalFoundries, à Grenoble, etc. Comme dans la Défense, la pseudo-autonomie européenne en matière de semi-conducteurs est grandement financée par les Etats-Unis. A quant un vrai réveil européen ?

Source :

AnandTech



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